功率半导体晶圆片
IGBT · FRD · SiC MOSFET · SiC Schottky，电压覆盖 1200V～3300V
九闳科供应 IGBT、FRD 快恢复二极管、SiC MOSFET 与 SiC 肖特基二极管，覆盖 1200V～3300V 电压等级，支持化学镀膜（Ti/Ni/Ag 多层金属化）与精密划片一站式加工服务。全系产品符合 RoHS 标准。
功率半导体晶圆片
IGBT 晶圆片
绝缘栅双极型晶体管晶圆片
Trench & Field Stop 沟槽栅场截止架构 IGBT 晶圆片，覆盖 1200V 与 1700V 两个电压等级，具备低饱和压降、软关断与正温度系数特性，支持多芯片并联。
功率半导体晶圆片
FRD 快恢复二极管
快恢复二极管芯片（局部寿命控制）
采用局部寿命控制设计的快恢复二极管，与 1200V 及 1700V IGBT 配套作为反并联续流二极管，具备低正向压降、可控反向恢复特性与优异的高温表现。
功率半导体晶圆片
SiC MOSFET 晶圆片
碳化硅 MOSFET（平面栅结构）
平面栅 SiC MOSFET，覆盖 2000V 与 3300V 高压等级，具备极低导通电阻、低开关损耗与短路耐受能力，面向中压驱动、电网储能与固态变压器等高压高频场合。
功率半导体晶圆片
SiC 肖特基二极管
碳化硅肖特基势垒二极管
SiC 肖特基二极管具备零反向恢复特性，反向恢复电荷与时间几乎可忽略，开关损耗远低于 Si 快恢复二极管，适合高压高频整流与续流场合，可与 SiC MOSFET 配套使用。