功率半导体晶圆片
IGBT · SiC MOSFET · SiC Schottky，电压覆盖 1200V～3300V
九闳科代理与供应多款功率半导体晶圆片产品，支持化学镀膜（Ti/Ni/Ag 多层金属化）与精密划片（激光/金刚刀）一站式加工服务。全系产品符合 RoHS 标准。
功率半导体晶圆片
IGBT 晶圆片
绝缘栅双极型晶体管晶圆片
高品质 IGBT 晶圆片，适用于工业驱动、新能源逆变器、电动汽车等应用领域。采用先进的芯片设计和制造工艺，具有低导通压降、快速开关、高可靠性等特点。
功率半导体晶圆片
SiC MOSFET 晶圆片
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
SiC MOSFET 具有比传统 Si IGBT 更宽的禁带、更高的击穿电压和更低的导通电阻，适用于高频、高温、高效率应用场景，是新一代功率电子系统的核心器件。
功率半导体晶圆片
SiC Schottky 二极管晶圆片
碳化硅肖特基二极管
SiC 肖特基二极管具有极低的反向恢复时间（几乎为零），开关损耗远低于 Si 快恢复二极管（FRD），是高频功率变换系统的理想选择，可与 SiC MOSFET 配合使用。