SiC 肖特基二极管

碳化硅肖特基势垒二极管

SiC 肖特基二极管具备零反向恢复特性,反向恢复电荷与时间几乎可忽略,开关损耗远低于 Si 快恢复二极管,适合高压高频整流与续流场合,可与 SiC MOSFET 配套使用。

关键规格

参数2200V / 40A2000V / 40A
器件类型SiC 肖特基二极管SiC MPS 二极管(Merged PiN Schottky)
重复峰值反向电压 V_RRM2200V2000V
平均正向电流 I_F40A40A(壳温 145℃)
正向压降 V_F(40A)1.50V(25℃)/2.60V(175℃)1.36V(25℃)/2.10V(175℃)
反向恢复零反向恢复零反向恢复(电荷 403 nC)
浪涌电流 I_FSM600A(10ms 正弦)520A(10ms 半正弦)
工作结温-55~+175℃-55~+175℃
晶圆尺寸150 mm(6 英寸)150 mm(6 英寸)
交付形态未切割晶圆裸芯片/带膜划切晶圆
表面金属化正面 AlCu 3.5μm/背面 Ti/Ni/Ag正面 Al 4μm/背面 Ag 1.2μm(兼容焊接与银烧结)
RoHS符合符合

加工服务

  • 化学镀膜
  • 精密激光划片
  • 全参数电学测试

典型应用

高频 PFC(车载 OBC、储能 PCS)光伏升压逆变中压电源(HVDC、SST)工业高频整流电动汽车快充

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