SiC MOSFET 晶圆片
碳化硅 MOSFET（平面栅结构）
平面栅 SiC MOSFET，覆盖 2000V 与 3300V 高压等级，具备极低导通电阻、低开关损耗与短路耐受能力，面向中压驱动、电网储能与固态变压器等高压高频场合。
关键规格
| 参数 | 2000V / 63A | 3300V / 40A |
|---|---|---|
| 器件类型 | SiC MOSFET（平面栅） | SiC MOSFET（平面栅） |
| 漏源电压 V_DSS | 2000V | 3300V |
| 额定电流 I_D | 63A（壳温 100℃） | 40A |
| 导通电阻 R_DS(on) | 20 mΩ 典型值（18V, 40A, 25℃） | 28 mΩ 典型值（18V, 40A, 25℃） |
| 开关特性 | 反向传输电容 13.8 pF | 低栅极电荷、低开关损耗、短路耐受 |
| 工作结温 | -55～+175℃ | -40～+175℃ |
| 晶圆尺寸 | 150 mm（6 英寸） | 150 mm（6 英寸） |
| 交付形态 | 未切割晶圆 | 未切割晶圆 |
| 表面金属化 | 正面 AlCu 5μm／背面 Ti/Ni/Ag | 正面 Al/Ni/Ag／背面 Ni/Ag |
| RoHS | 符合 | 符合 |
加工服务
- 化学镀膜：Ti/Ni/Ag 多层金属化
- 精密激光划片
- SiC 专用背面减薄
- 全参数电学测试
典型应用
中压电机驱动轨道交通辅助变流电网级储能 PCS固态变压器（SST）高压直流变换