SiC MOSFET 晶圆片
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
SiC MOSFET 具有比传统 Si IGBT 更宽的禁带、更高的击穿电压和更低的导通电阻，适用于高频、高温、高效率应用场景，是新一代功率电子系统的核心器件。
产品规格参数
| 参数 | JHMC0120A0300B12B | JHMC0170A0300B12B |
|---|---|---|
| 产品类型 | SiC MOSFET | SiC MOSFET |
| 电压等级 | 1200V | 1700V |
| 晶圆尺寸 | 12 英寸 | 12 英寸 |
| 材料体系 | 碳化硅（SiC） | 碳化硅（SiC） |
| 优势特性 | 低导通电阻、高频开关 | 低导通电阻、高频开关 |
| 工作温度 | 至 +200°C | 至 +200°C |
| 表面金属化 | Al / Cu 可选 | Al / Cu 可选 |
| RoHS | 符合 | 符合 |
加工服务
- 化学镀膜：Ti/Ni/Ag 多层金属化
- 精密划片：激光划片
- SiC 专用背面减薄
- 全参数电学测试
典型应用
光伏逆变器电动汽车 OBC服务器电源工业高频开关电源航空航天电源