FRD 快恢复二极管

快恢复二极管芯片(局部寿命控制)

采用局部寿命控制设计的快恢复二极管,与 1200V 及 1700V IGBT 配套作为反并联续流二极管,具备低正向压降、可控反向恢复特性与优异的高温表现。

关键规格

参数1200V / 340A1700V / 300A
器件类型FRD(局部寿命控制)FRD(局部寿命控制)
重复峰值反向电压 V_RRM1200V1700V
正向电流 I_F340A300A
重复峰值正向电流 I_FRM600A600A
正向压降 V_F(300A)1.52V(25℃)/1.58V(175℃)1.85V(25℃)/2.05V(175℃)
反向恢复时间 t_rr0.94 μs(175℃)1.23 μs(175℃)
工作结温-40~+175℃-40~+175℃
晶圆尺寸200 mm(8 英寸)200 mm(8 英寸)
交付形态裸芯片裸芯片
表面金属化正面 AlSiCu 5μm/背面 Al-Ni-Ag正面 AlSiCu 5μm/背面 Al-Ni-Ag
RoHS符合符合

加工服务

  • 化学镀膜:Ti/Ni/Ag 多层金属化
  • 精密划片:激光划片/金刚刀划片
  • 全参数电学测试

典型应用

IGBT 模组配套续流工业变频器光伏与储能逆变器车载电驱风电与轨交辅助变流

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